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1300h!陳忠偉院士,最新Angew!

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研究背景
堿性水電解技術(shù)(AWE)可將電能轉(zhuǎn)化為綠色氫氣,在清潔能源領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。作為AWE的半反應(yīng),堿性條件下析氫反應(yīng)(HER)動(dòng)力學(xué)較為緩慢,比酸性條件下慢2-3個(gè)數(shù)量級(jí)。一方面,可以通過(guò)優(yōu)化堿性HER反應(yīng)中氫和羥基中間體的吸附/解吸過(guò)程提高其反應(yīng)動(dòng)力學(xué)。另一方面,高導(dǎo)電性對(duì)于電催化劑中有效的電子轉(zhuǎn)移至關(guān)重要,利于提高反應(yīng)速率和活性。
成果簡(jiǎn)介
鑒于此,中科院大連化物所陳忠偉、北京化工大學(xué)曹達(dá)鵬、河南工業(yè)大學(xué)許曉培(共同通訊作者)等人提出了一種構(gòu)建合適的晶格匹配和高電導(dǎo)率的雙氮金屬異質(zhì)結(jié)構(gòu)的策略,以此制備了WN-NiN/CFP催化劑。異質(zhì)界面上的電荷重新分配產(chǎn)生了電子積聚的W-W位點(diǎn),降低了Op-Wd和Hs-Wd軌道之間的相互作用,從而促進(jìn)了OH轉(zhuǎn)移和H2釋放。WN-NiN/CFP催化劑在10 mA cm-2下具有36.8 mV的低過(guò)電位,同時(shí)在100 mA cm-2下具有1300小時(shí)的運(yùn)行穩(wěn)定性。相關(guān)成果以“Customizing Bonding Affinity with Multi-Intermediates via Interfacial Electron Capture to Boost Hydrogen Evolution in Alkaline Water Electrolysis”為題發(fā)表在Angew上。
圖文導(dǎo)讀
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圖1 WN-NiN/CFP形貌及結(jié)構(gòu)表征。
作者首先采用水熱法在碳纖維紙(CFP)上直接生長(zhǎng)W/Ni氫氧化物,然后在NH3中氮化W/Ni前驅(qū)體,最終得到具有明顯非均相界面的WN-Ni/CFP復(fù)合材料。X射線衍射(XRD)圖顯示,除了存在CFP襯底的特征峰之外,還檢測(cè)到Ni3N的(110),(002),(111)和(112)晶面,以及大約36°處的WN的(100)晶面,表明成功制備了雙金屬氮化物催化劑(圖1a)。SEM圖像顯示,WN-NiN/CFP具有獨(dú)特的花瓣?duì)罴{米片形貌,且納米片表面具有多孔特征(圖1b)。透射電子顯微鏡(TEM)和高分辨率透射電子顯微鏡(HRTEM)圖像顯示,WN-NiN/CFP納米片由為交織的納米顆粒組成,且觀察到Ni3N和WN之間明顯的非均相界面(圖1c-e)。能量色散X射線光譜(EDX)顯示,N,Ni和W元素在WN-Ni/CFP樣品中均勻分布(圖1f-j)。
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圖2 電子在WN-NiN/CFP中的遷移過(guò)程表征。
團(tuán)隊(duì)采用各種手段詳細(xì)表明了電子跨越Ni3N和WN異質(zhì)界面的遷移過(guò)程。電荷密度差分圖顯示,電子在WN@Ni3N異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面上發(fā)生大量聚集(圖2a),為界面上的電荷轉(zhuǎn)移和再分配提供了條件。巴德電荷密度分析證實(shí)了從Ni3N到WN轉(zhuǎn)移了0.8個(gè)電子。垂直靜電電位梯度也顯示Ni3N的電位比WN低(圖2b)。
作者由公式W=hν-Ecutoff計(jì)算了功函數(shù)(Wf),其中hν表示入射光子能量(21.22 eV),Ecutoff表示二次電子截止能量。計(jì)算結(jié)果顯示,NiN/CPF的功函數(shù)(Wf)為2.77 eV,WN/CFP的功函數(shù)(Wf)為4.34 eV,表明電子從NiN/CPF向WN/CFP遷移(圖2d)。XPS光譜顯示,在WN-NiN/CFP異質(zhì)結(jié)構(gòu)中,Ni的結(jié)合能相對(duì)于NiN/CFP發(fā)生了正位移,而W的結(jié)合能相對(duì)于WN/CFP發(fā)生了負(fù)位移,表明電子在WN-NiN/CFP中從Ni3N流向WN。
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圖3 NiN-WN/CFP催化劑的電子結(jié)構(gòu)表征。
作者采用X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)(XANES)和擴(kuò)展X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(EXAFS)技術(shù)對(duì)催化劑的電子結(jié)構(gòu)和局部環(huán)境進(jìn)行了表征。WN-NiN/CFP和NiN/CFP中Ni的吸收邊都接近于標(biāo)準(zhǔn)Ni箔(圖3a)。與Ni/CFP相比,異質(zhì)結(jié)構(gòu)中Ni價(jià)態(tài)升高(圖3b)。k3加權(quán)擴(kuò)展X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(EXAFS)在R空間的傅里葉變換(FT)顯示,WN-NiN/CFP和NiN/CFP的主峰位于2.28 ?,相對(duì)于Ni箔的峰(2.13 ?),主峰發(fā)生向右偏移,表明N加入后Ni-Ni鍵變長(zhǎng)。在小波變換(WT)圖像中,k值為~6.3 ?-1處的最大強(qiáng)度峰代表Ni-Ni鍵,WN-NiN/CFP峰位置與鎳箔的相似性進(jìn)一步強(qiáng)調(diào)了材料具有金屬性質(zhì)(圖3g)。
與WN/CFP相比,NiN-WN/CFP的W L3近邊顯示了XANES最大導(dǎo)數(shù)的較低能級(jí)轉(zhuǎn)變,同時(shí)白線峰的強(qiáng)度也有所降低,表明異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的W原子獲得電子(圖3b,d)。FT-EXAFS光譜顯示,NiN-WN/CFP異質(zhì)結(jié)構(gòu)中有兩個(gè)明顯的峰,分別約為1.68 ?和2.87 ?,對(duì)應(yīng)于WN/CFP結(jié)構(gòu)中的W-N和W-W鍵(圖3f,h)。上述實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明成功制備了WN和Ni3N雙金屬異質(zhì)結(jié)構(gòu),同時(shí)明確地闡明了電子轉(zhuǎn)移機(jī)制。
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圖4 NiN-WN/CFP催化劑的HER性能。
團(tuán)隊(duì)采用三電極體系在1 M KOH溶液中系統(tǒng)地評(píng)價(jià)了NiN-WN/CFP催化劑的HER性能。NiN-WN/CFP催化劑達(dá)到10 mA cm-2(η10)和100 mA cm-2(η100)電流密度所需的過(guò)電位分別為36.8 mV和150.6 mV,在相同的測(cè)試條件下的HER性能顯著優(yōu)于NiN/CFP(η10為168.3 mV,η100為269.4 mV)及WN/CFP(η10為422.2 mV;η100為529.6 mV),且與商業(yè)Pt/C相當(dāng)(η10為21.9 mV,η100 為140.7 mV)(圖4a,b)。WN-NiN/CFP的塔菲爾斜率(61.3 mV/dec)低于NiN/CFP(136.1 mV/dec)和WN/CFP(128.1 mV/dec),證明了其在堿性介質(zhì)中具有快速高效的HER動(dòng)力學(xué)(圖4c)。WN-NiN/CFP的雙電層電容Cdl最高,為14.6 mF/cm2,分別優(yōu)于NiN/CFP(11.3 mF/cm2)和WN/CFP(6.8 mF/cm2),表明其具有優(yōu)異的電化學(xué)活性。WN-NiN/CFP表現(xiàn)出優(yōu)異的穩(wěn)定性,電流密度在60小時(shí)后始終保持在初始水平(圖4e)。
團(tuán)隊(duì)采用兩電極體系評(píng)估了WN-NiN/NF||WN-NiN/NF總體水分解活性。WN-NiN/NF||WN-NiN/NF電解槽的性能超過(guò)了IrO2/NF||Pt/C/NF和泡沫Ni||泡沫Ni電解槽的性能,在1 M KOH下,以1.54 V的低電壓提供10 mA cm-2的電流密度(圖4f)。WN-NiN/NF||WN-NiN/NF電解槽在100 mA cm-2的高電流密度下可穩(wěn)定運(yùn)行1300小時(shí)(圖4g),其性能明顯優(yōu)于文獻(xiàn)中記載的大多數(shù)采用非貴金屬催化劑的電解槽(圖4h)。
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圖5 WN-Ni3N異質(zhì)結(jié)構(gòu)堿性HER活性提升的機(jī)制分析。
作者采用密度泛函理論(DFT)計(jì)算深入研究了WN-Ni3N異質(zhì)結(jié)構(gòu)堿性HER活性提升的潛在機(jī)制。堿性HER過(guò)程包括四個(gè)不同的步驟:(i)初始H2O接觸,(ii)H2O解離,(iii)氫氧化物解吸和(iv)H2生成步驟(圖5a)。堿性HER催化劑的活性大小與ΔG1,ΔG2,ΔG3和ΔG4值密切相關(guān)。
熱力學(xué)過(guò)程表明,較低的ΔG1和ΔG2有利于H2O的吸附和解離,較高的ΔG3表明對(duì)OH*中毒的敏感性增加,較高的ΔG4(ΔG4=-ΔGH*)表明H2從催化劑表面解吸的難度較大。氫氧化物的解吸是WN的決速步驟(PDS),而制氫步驟是Ni3N、垂直Ni3N@WN和平面Ni3N-WN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的決速步驟(PDS)(圖5b)。與Ni3N(0.59 V)、WN(0.78 V)和垂直Ni3N@WN(0.55 V)相比,平面內(nèi)Ni3N-WN異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有較低的理論過(guò)電位(0.52 V),表現(xiàn)出最佳的堿性HER性能,因?yàn)樗哂薪咏诹愕腍*吸附自由能,并且更容易實(shí)現(xiàn)OH*解吸。
偏態(tài)密度(PDOS)圖顯示,Ni3N-WN體系中H 1s軌道和W d軌道之間的雜化強(qiáng)度與WN相比有所減弱,表明Ni3N-WN表面對(duì)H的吸附能力減弱。在Ni3N-WN界面,吸附的氫(Hads)從W原子中獲得0.59 e,而在WN表面,從W原子中獲得0.58 e,表明Ni3N-WN吸附Hads能力比WN弱。因此,Ni3N-WN界面有效地協(xié)調(diào)了末端氫釋放過(guò)程,提高了其整體效率。另一方面,OH*在Ni3N上的吸附位點(diǎn)位于Ni-Ni橋位點(diǎn),而Ni3N-WN上OH*的吸附位點(diǎn)在界面附近。在WN上Op和Wd之間的雜化比在Ni3N-WN上更強(qiáng),進(jìn)一步證實(shí)了異質(zhì)結(jié)構(gòu)有效地優(yōu)化了OH*的脫附。
定量?jī)r(jià)電子軌道分析顯示,Ni3N-WN異質(zhì)結(jié)構(gòu)對(duì)H和O中間體的吸附比單一WN更弱。Ni3N-WN和WN表面上的H 1s與W 5d之間的關(guān)鍵軌道相互作用主要來(lái)源于W 5dxz軌道(占49.83%)和W 5dyz軌道(占52.26%)(圖5f)。而Ni3N-WN和WN表面O 2p與W 5d之間的相互作用主要由W 5dxz軌道貢獻(xiàn)(圖5g)。綜上所述,Ni3N-WN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的高HER活性源于界面上電荷獨(dú)特的逃逸和捕獲行為。通過(guò)調(diào)節(jié)界面上積聚電子的W-W位,可以有效調(diào)節(jié)金屬活性位點(diǎn)與H*和OH*中間體之間相互作用的強(qiáng)度。
文獻(xiàn)信息
Customizing Bonding Affinity with Multi-Intermediates via Interfacial Electron Capture to Boost Hydrogen Evolution in Alkaline Water Electrolysis. Angew, 2024.

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