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他,清華大學「國家杰青/長江特聘」,發(fā)表最新Nature子刊!

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成果簡介
在高熵氧化物中摻入多種不混溶的金屬可以創(chuàng)建非常規(guī)的催化活性位點配位環(huán)境,而高熵氧化物的高形成溫度導致了低比表面積的塊狀材料。基于此,清華大學王訓教授和劉清達博士后(共同通訊作者)等人報道了一種高熵LaMnO3-型鈣鈦礦-多金屬氧酸鹽(POMs)亞納米線(HELMO-POM)異質結構,其周期性排列的高熵LaMnO3氧化物和POMs在顯著降低的溫度100 ℃下,遠遠低于目前最先進的煅燒方法合成高熵氧化物所需的溫度。其中,HELMO單元包含La、Cr、Mn、Fe、Co和Ni(La(CrMnFeCoNi)0.2O3-x)元素。
在光電化學(PEC)體系下,HELMO-POM納米線對甲烷氧化偶聯(lián)(OCM)表現(xiàn)出良好的催化活性,乙酸產率高達4.45 mmol g-1cat h-1,選擇性超過99%。OCM反應可在室溫常壓下進行,不需要氧化劑,優(yōu)于已有的電催化劑和光催化劑。在反應過程中,光生成的電子-空穴對可以通過HELMO和POM單元的周期性界面有效分離,其載流子轉移距離在1 nm以下,是C-H鍵激活的主要位點。同時,活性中間體*COOH可以被POM團簇中的離域電子穩(wěn)定,形成乙酸的選擇性高。HELMO和POM單元處理的 (-p-n-p-n-)n型亞-1 nm異質結構的獨特電子結構可能為設計溫和條件下高效OCM的高級催化劑提供啟發(fā)。
相關工作以《High-entropy-perovskite subnanowires for photoelectrocatalytic coupling of methane to acetic acid》為題發(fā)表在最新一期《Nature Communications》上。王訓,清華大學化學系教授、博士生導師,2006年全國優(yōu)秀博士學位論文,2007年國家杰出青年基金,2014年長江學者特聘教授。從事功能納米材料控制合成、組裝及性能研究工作。
圖文解讀
作者采用團簇-核共組裝策略合成了HELMO-PTA亞納米線(subnano-HELMO-PTA),其中磷鎢酸(PTA)團簇和HELMO核以異源單元的形式通過直接鍵合集成到亞納米組件中。在溶劑熱反應過程中,稀土元素離子(La3+)與5種過渡金屬離子(Cr3+、Mn3+、Fe3+、Co2+和Ni2+)在第一步形成HELMO晶核。第二步是通過PTA捕獲這些HELMO核,導致它們的有限尺寸生長和隨后的共組裝成亞納米線。TEM圖像顯示,subnano-HELMO-PTA呈現(xiàn)為扭曲的納米線,寬度一致。HAADF-STEM圖像顯示,subnano-HELMO-PTA的寬度約為1.8 nm。
他,清華大學「國家杰青/長江特聘」,發(fā)表最新Nature子刊!
圖1. subnano-HELMO-PTA的表征
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圖2. subnano-HELMO-PTA的精細結構表征
在反應體系中引入CH4后,在0.6-1.4 V間,電流密度顯著增加。同時,subnano-HELMO-PTA發(fā)生電位明顯降低,表明CH4在該材料上的氧化優(yōu)于OER。此外,subnano-HELMO-PTA樣品的產率為1.81 mmol g-1cat h-1,OCM生成乙酸的選擇性超過99%。當施加電位較低時,液體產物主要由乙醇和乙酸組成。在1.2 V的電位下,subnano-HELMO-PTA的乙酸產率高達4.45 mmol g-1cat h-1,對乙酸的選擇性超過99%。
值得注意的是,當偏置超過1.2 V時,對乙酸的選擇性始終保持在99%以上,且對外加電位不敏感,表明C-C偶聯(lián)之前的*COOH可有效地穩(wěn)定在subnano-HELMO-PTA表面,從而防止過度氧化為CO2。由于光產生的電子和空穴的有效分離,阻止了光載流子的重組,subnano-HELMO-PTA對乙酸表現(xiàn)出優(yōu)越的生產率和選擇性。因此,作者提出HELMO與PTA團簇之間的強相互作用可以穩(wěn)定PTA,從而防止PTA在光照下解離。
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圖3. CH4的PEC耦合與電化學性能
通過密度泛函理論(DFT)計算,以闡明subnano-HELMO-PTA上CH4氧化偶聯(lián)的反應機理,并計算了CH4在HELMO(011)上氧化的反應路徑。計算結果表明,HELMO表面*CH3到*CH2的脫氫過程明顯吸熱,脫氫速率為1.01 eV,而在subnano-HELMO-PTA上形成的*CH2被PTA中的末端O原子(Ot)以0.53 eV的勢壘捕獲。
對比HELMO,下一個脫氫步驟從*OtCH2(狀態(tài)IV)到*CHOt(狀態(tài)V)的能壘顯著降低,為0.51 eV vs 0.71 eV。隨著脫氫反應的進行,PTA可以穩(wěn)定地固定鍵*OtCOH中間體,提供0.38 |e|。此外,計算得到的*OtCOH中O原子的投影態(tài)密度(PDOS)顯示出與Ot相似的電子結構,表明PTA中的Ot成為*OtCOH的一部分。因此,*OtCOH中間體很難以CO氣體的形式釋放或克服1.84 eV的能壘,通過在PTA中提取*Ot而以*OtCO氣體的形式釋放。
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圖4. subnano-HELMO-PTA上(-p-n-p-n-)n異質結界面電場的表征
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圖5.機理的原位表征和DFT計算
文獻信息
High-entropy-perovskite subnanowires for photoelectrocatalytic coupling of methane to acetic acid. Nature Communications, 2024.

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