在環(huán)境條件下,通過電催化氮還原反應(yīng)(NRR)生產(chǎn)氨是一種綠色且可持續(xù)的方法,而實現(xiàn)高效NRR的關(guān)鍵是開發(fā)高活性催化劑。清楚地理解NRR中涉及的多步驟反應(yīng)機(jī)制是設(shè)計高活性NRR電催化劑的關(guān)鍵。有鑒于此,陜西師范大學(xué)江瑞斌、張楠等人通過對錨定在g-C3N4上的3d過渡金屬(TM=Sc到Zn)單原子催化劑進(jìn)行計算篩選,發(fā)現(xiàn)錨定在g-C3N4上的V單原子(V@g-C3N4)是高效的NRR電催化劑。計算方法作者通過使用DMol3模塊進(jìn)行DFT計算,并選用廣義梯度近似(GGA)下的Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)函數(shù)作為交換關(guān)聯(lián)泛函。而對于范德瓦爾斯相互作用的描述,作者選用了Grimme方法,并且在所有計算中都考慮了自旋極化效應(yīng)。此外,為了確保高質(zhì)量的結(jié)果,作者設(shè)置真實空間下的全局軌道截止半徑為5.5?。作者選用DFT半核贗勢(DSPs)來處理TM原子的電子,還選用雙數(shù)值正極化(DNP)基組來處理其他元素。作者將能量的收斂標(biāo)準(zhǔn)設(shè)置為1×10?6 Ha,并且采用5×5×1的K點網(wǎng)格對布里淵區(qū)進(jìn)行采樣。在模擬的g-C3N4單層中,作者構(gòu)建了一個含有9個碳原子和6個氮原子的周期性超胞結(jié)構(gòu),并且z方向的真空層設(shè)置為15?。結(jié)果與討論圖1 (a) 篩選的過渡金屬(TM)種類,(b)σ鍵和π*鍵的電子轉(zhuǎn)移機(jī)理(c)TM@g-C3N4模型結(jié)構(gòu)(d)TM@g-C3N4的結(jié)合能(e)TM@g-C3N4的形成能和溶解勢圖1a是本文中篩選的3d過度金屬以及相應(yīng)的電子結(jié)構(gòu),并且他們的的軌道可以接收來自N2σ-鍵軌道的電子,并將電子提供給N2的π反鍵軌道(圖1b),從而可以激活氮氮三鍵。此外,圖1c是TM@g-C3N4的優(yōu)化結(jié)構(gòu),其中,V、Sc、Ti、Mn和Zn原子幾乎位于g-C3N4的六重腔的中心,這意味著這些TM原子與腔的六個N原子的結(jié)合強(qiáng)度幾乎相同。相反,其他五個TM原子偏離六重腔的中心,主要與腔中的兩個N原子相互作用。如圖1d所示,TM@g-C3N4的結(jié)合能絕對值首先從Sc到Cr快速下降,然后從Cr到Ni幾乎保持恒定,然后從Ni到Zn再次下降。如圖1e所示,TM@g-C3N4的Ef值遠(yuǎn)低于零,表明這些金屬在納米片上具有較高的熱力學(xué)穩(wěn)定性。并且除Zn@g-C3N4之外,其他TM@g-C3N4的Udiss值為正值,表明它們在酸性條件下可以保持電化學(xué)穩(wěn)定。圖2 (a)TM@g-C3N4的d帶中心(εd)(b)吸附在TM@g-C3N4上的N-N鍵長(c)N2吸附能(Eads(N2))如圖2a所示,對于前面五種過渡金屬元素(從Sc到Mn),隨著原子序數(shù)的增加,其εd減小,除Mn外,TM原子的電荷量也減小。從Fe到Zn,TM原子上的電荷量和εd隨原子序數(shù)的增加而交替減少。N2吸附在不同系統(tǒng)上的N–N鍵長如圖2b所示,其中V@g-C3N4上吸附的N2具有最長的N-N鍵長,長度為1.140?。而不同系統(tǒng)中的氮氣吸附能如圖2c所示,作者發(fā)現(xiàn)吸附能的變化趨勢可以分為兩組,第一組是從Sc到Mn,這些原子的3d和4s軌道中的填充電子少于或只有一半。另一組是從鐵到鋅,這些原子在3d和4s軌道上有超過一半的電子。并且在每一組中,N2吸附能的絕對值隨著原子序數(shù)的增加而增加。圖3 第一步(a)和最后一步(b)質(zhì)子化步驟的吉布斯自由能變化(ΔG)在不同的TM@g-C3N4上末端吸附的N2形成N2H的反應(yīng)中(圖3a),Sc@g-C3N4, Ti@g-C3N4和V@g-C3N4具有最低的吉布斯自由能變化,而在側(cè)面吸附的N2形成N2H的反應(yīng)中,Sc@g-C3N4, Ni@g-C3N4具有最低的自由能變化。此外,最后一步電化學(xué)步驟(NH2? + H++e? → NH3?) 也是一個重要的吸熱過程(圖3b),同樣地根據(jù)最小吉布斯自由能變化的規(guī)則,作者發(fā)現(xiàn)Ti@g-C3N4和V@g-C3N4末端吸附構(gòu)型具有更好的NRR電催化活性。圖4 Ti@g-C3N4和V@g-C3N4的自由能曲線和遠(yuǎn)端和交替反應(yīng)路徑在V@g-C3N4和Ti@g-C3N4上,沿著遠(yuǎn)端和交替路徑的整個自由能曲線和相應(yīng)的結(jié)構(gòu)模型如圖4所示,在V@g-C3N4遠(yuǎn)端路徑中,第一和第二步氫化過程都是熱力學(xué)上坡過程,對應(yīng)的ΔG分別為0.55和0.08 eV(圖4a)。第一個NH3分子在隨后的第三步中釋放,其是一個自由能降低0.11 eV的熱力學(xué)下坡的過程。在以后的反應(yīng)中,吉布斯自由能逐漸減小,最后從V@g-C3N4上生成兩個NH3分子??v觀整個過程,可以發(fā)現(xiàn)N2質(zhì)子化的第一步是?N2H是電位控制步驟。與V@g-C3N4不同的是,Ti@g-C3N4的NRR中第一步反應(yīng)是交替路徑(圖4b),因此,第一步不是整個NRR的電位控制步驟,而第四個質(zhì)子化步成為交替路徑的電位控制步驟,并且V@g-C3N4比Ti@g-C3N4具有更高的NRR活性。圖5 .(a)V@g-C3N4有無N2吸附和游離N2分子的PDOS(b)V@g-C3N4的d軌道能級圖(c)V@g-C3N4上N2吸附的差分電荷密度圖如圖5a所示。V-3d的PDOS是寬的而不是尖銳的,表明V的3d軌道與載體的軌道有雜化作用,從而導(dǎo)致金屬和載體之間的電荷轉(zhuǎn)移,使V和g-C3N4之間存在強(qiáng)配位效應(yīng)。并且這種相互作用使V帶正電荷,有利于N2的吸附。具體原因如圖5b所示,簡并d軌道分裂為三個能級,在電子轉(zhuǎn)移之前,兩個電子填充在簡并dxz和dyz中,一個電子填充在dz2中。當(dāng)V錨定g-C3N4之后,從V到g-C3N4的電子轉(zhuǎn)移有效地減少了電子進(jìn)入,從而提高了電子接受能力。當(dāng)N2吸附在V@g-C3N4上時,N2的3σg軌道將電子轉(zhuǎn)移到V的空軌道,而N2的空的1πg軌道接受來自dxz或dyz軌道的電子。這種電子饋贈和反向饋贈可以有效地活化氮氮三鍵,并且這種雙向電荷轉(zhuǎn)移過程也通過V@g-C3N4吸附N2后的PDOS變化(圖5a)和差分電荷密度(圖5c)得以證實。圖6 V@g-C3N4上NRR的電荷變化如圖6所示,V原子上的電荷在遠(yuǎn)端和交替路徑上的變化都相對較小,而NxHy和g-C3N4上的電荷具有顯著的變化,并且變化趨勢相反。這些結(jié)果表明,g-C3N4在NRR過程中充當(dāng)電子供體或受體,TM充當(dāng)吸附的NxHy和g-C3N4之間電荷轉(zhuǎn)移的發(fā)射器。結(jié)論與展望發(fā)生在V@g-C3N4的NRR主要通過遠(yuǎn)端路徑,并且具有相對低的限制電勢(?0.55 V)。V@g-C3N4上錨定的V原子具有獨特的電子結(jié)構(gòu),可以實現(xiàn)NxHy和g-C3N4之間良好的電子傳遞。此外,形成能和溶解勢表明V@g-C3N4在熱力學(xué)和電化學(xué)上是穩(wěn)定的,并且V原子在熱力學(xué)上不容易團(tuán)聚,這意味著實驗上V@g-C3N4催化劑的合成是可行的。該工作篩選出了一種優(yōu)良的非貴金屬NRR電催化劑,將有助于人工固氮的發(fā)展。文獻(xiàn)信息Zhang N, Gao Y, Ma L, et al. Single transition metal atom anchored on g-C3N4 as an electrocatalyst for nitrogen fixation: A computational study[J]. International Journal of Hydrogen Energy, 2022.