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【DFT+實(shí)驗(yàn)】中國科學(xué)院微電子研究所在鐵電材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展

2023年8月3日,中國科學(xué)院微電子研究所劉明院士、羅慶研究員與中國科學(xué)院物理研究所杜世萱研究員以共同通訊作者身份在Science上發(fā)表題為“A stable rhombohedral phase in ferroelectric Hf(Zr)1+xO2 capacitor with ultralow coercive field”的研究論文,中國科學(xué)院微電子研究所Yuan Wang(王淵)與中國科學(xué)院大學(xué)物理科學(xué)學(xué)院Lei Tao(陶蕾)為共同第一作者
【DFT+實(shí)驗(yàn)】中國科學(xué)院微電子研究所在鐵電材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
https://www.science.org/doi/full/10.1126/science.adf6137
該研究發(fā)現(xiàn)了一種富含鉿鋯[Hf(Zr)]的兼容互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體CMOS的菱形鐵電 Hf(Zr)1+xO2材料,這一材料的發(fā)現(xiàn)有助于實(shí)現(xiàn)低成本、長壽命的存儲(chǔ)芯片。X射線衍射結(jié)合掃描透射電子顯微鏡分析表明,過量的Hf(Zr) 原子嵌入到中空位點(diǎn)內(nèi)。插入的原子擴(kuò)展了晶格,增加了面內(nèi)和面外應(yīng)力,從而穩(wěn)定了菱面體相(r相)及其鐵電性質(zhì)?;趓相Hf(Zr)1+xO2鐵電器件,表現(xiàn)出超低矯頑場(~0.65兆伏/厘米),在飽和極化下,實(shí)現(xiàn)了超過10E12次循環(huán)的高耐久性
【DFT+實(shí)驗(yàn)】中國科學(xué)院微電子研究所在鐵電材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
平面金屬-鐵電金屬M(fèi)FM電容器和Hf(Zr)1+xO2薄膜結(jié)構(gòu)特性
研究人員基于Hf(Zr)1+xO2薄膜制作了金屬-鐵電-金屬M(fèi)FM電容器,為了確認(rèn)其鐵電性,對(duì)其進(jìn)行了表征分析。STEM-HAADF截面圖表明:TiN/Hf(Zr)1+xO2/TiN器件具有結(jié)構(gòu)和化學(xué)清晰的界面,沒有明顯的相互擴(kuò)散;將光譜擬合后結(jié)果顯示,薄膜中的Hf4+和Zr4+成分與金屬Hf0和Zr0共存;對(duì)Hf(Zr)1+xO2薄膜進(jìn)行了掠入射X射線衍射,結(jié)果表明該多晶樣品同時(shí)含有m相和r相
【DFT+實(shí)驗(yàn)】中國科學(xué)院微電子研究所在鐵電材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
菱面體相Hf(Zr)1+xO2的原子尺度STEM分析
富含Hf(Zr)的Hf(Zr)1+xO2薄膜沿[1-21]區(qū)軸觀察的高分辨率HAADF-STEM特寫圖像顯示過量的Hf(Zr)原子嵌入到結(jié)構(gòu)中,在中空位點(diǎn)內(nèi)形成有序陣列,這與Hf-過量模型一致,相應(yīng)的快速傅立葉變換FFT與模擬的Hf-excess R3m相電子衍射圖完全吻合。為證實(shí)Hf過量結(jié)構(gòu),對(duì)R3相、無過量Hf的R3m相以及Hf過量的R3m相進(jìn)行了HAADF圖像模擬,結(jié)果顯示:帶有過量Hf的R3m結(jié)構(gòu)的圖像模擬與實(shí)驗(yàn)觀測結(jié)果一致
【DFT+實(shí)驗(yàn)】中國科學(xué)院微電子研究所在鐵電材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
通過DFT計(jì)算預(yù)測了鐵電體Hf(Zr)1+xO2
通過DFT 計(jì)算隨著Hf(Zr)比例的增加,r相、o相和m相中富含Hf的Hf1+xO2以及r相、t相和m相中富含Zr的Zr1+xO2的形成能;研究人員展示了應(yīng)變?yōu)?%的 Hf1.08O2和HfO2的鐵電轉(zhuǎn)換路徑,結(jié)果表明:雖然HfO2和Hf1.08O2的開關(guān)勢(shì)壘都隨著d111的增大而增大,但在不同d111條件下,r相Hf1.08O2的開關(guān)勢(shì)壘始終比r相HfO2低的多
【DFT+實(shí)驗(yàn)】中國科學(xué)院微電子研究所在鐵電材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
r相Hf(Zr)1+xO2膜的鐵電特性
實(shí)驗(yàn)測得x值大于0.129的r相Hf(Zr)1+xO2鐵電薄膜具有良好的穩(wěn)定性,對(duì)于不同Hf功率制備的r相Hf(Zr)1+xO2鐵電薄膜,雖然Hf(Zr)1+xO2薄膜中的x值從0.129變化到0.273,但Pr值和Ec值幾乎沒有變化;r相Hf(Zr)1+xO2鐵電電池可以在1.25MV/cm的條件下獲得10E12次電場循環(huán),與飽和擊穿周期相比,基于 Hf(Zr)1+xO2的r相鐵電薄膜的周期提高了約兩個(gè)數(shù)量級(jí)。
該研究提出的基態(tài)r相鐵電Hf(Zr)1+xO2薄膜,解決了鄰相鐵電HfO2固有的高Ec問題,并可與CMOS兼容,它的發(fā)現(xiàn)有助于實(shí)現(xiàn)低成本、長壽命的存儲(chǔ)芯片
【DFT+實(shí)驗(yàn)】中國科學(xué)院微電子研究所在鐵電材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
劉明,中國科學(xué)院微電子研究所研究員、博士生導(dǎo)師,中國科學(xué)院微電子器件與集成技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室主任,復(fù)旦大學(xué)芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院院長,中國科學(xué)院院士、發(fā)展中國家科學(xué)院院士、IEEE Fellow、國家杰青;長期從事微電子科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域的研究,研究興趣:存儲(chǔ)器模型機(jī)理、材料結(jié)構(gòu)、核心共性技術(shù)和集成電路的微納加工等
【DFT+實(shí)驗(yàn)】中國科學(xué)院微電子研究所在鐵電材料研究領(lǐng)域取得重要進(jìn)展
杜世萱,中國科學(xué)院物理研究所研究員、博士生導(dǎo)師,中國科學(xué)院大學(xué)物理科學(xué)學(xué)院崗位教授,國家杰青;課題組以基于密度泛函理論DFT的第一性原理計(jì)算方法為主要研究手段,與實(shí)驗(yàn)緊密結(jié)合,對(duì)新型低維材料設(shè)計(jì)、界面特性與組裝機(jī)制、以及功能單元結(jié)構(gòu)物性等方面做了系統(tǒng)性研究工作
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