成果簡(jiǎn)介高效的光解水催化劑是提高太陽(yáng)能利用率的關(guān)鍵。寧夏大學(xué)陳煥銘、河北科技工程職業(yè)技術(shù)大學(xué)趙紅生、河北工程大學(xué)王艷輝等人利用第一性原理計(jì)算系統(tǒng)探索了異質(zhì)結(jié)的電子、載流子轉(zhuǎn)移和光學(xué)性質(zhì)。計(jì)算方法基于密度泛函理論(DFT),作者采用維也納從頭算模擬包(VASP)軟件進(jìn)行第一性原理計(jì)算,并使用投影增強(qiáng)波(PAW)方法來(lái)描述核心電子,以及使用含有Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)泛函的廣義梯度近似(GGA)來(lái)描述電子的交換關(guān)聯(lián)作用。作者對(duì)Mg(OH)2、C2N和C2N/Mg(OH)2分別采用12×12×1、3×3×1和4×3×3的k點(diǎn)網(wǎng)格進(jìn)行布里淵區(qū)采樣,并引入15?的真空層來(lái)屏蔽周期性作用。此外,作者將力和能量的收斂標(biāo)準(zhǔn)分別設(shè)置為0.01 eV/?和10?5 eV,并采用了550 eV的截?cái)嗄?。作者采用Grimme的DFT-D3校正來(lái)描述vdW相互作用,并使用VASPKIT代碼對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行后處理。結(jié)果與討論圖1.?C2N和Mg(OH)2模型結(jié)構(gòu)和能帶結(jié)構(gòu)如圖1(a)和圖1(c)所示,C2N和Mg(OH)2晶體的晶格常數(shù)分別為8.32?和3.16?,并且C–N、C–C(1)、C–C(2)、Mg–O和H–O的鍵長(zhǎng)分別為1.34?、1.43?、1.45?、2.10?和0.97?。如圖1(b)和(d)所示,C2N和Mg(OH)2單層的VBM和CBM都位于Г點(diǎn),所以C2N和Mg(OH)2單層具有直接間隙半導(dǎo)體的特性。此外,C2N和Mg(OH)2單層分別具有2.48eV和5.01eV的帶隙。圖2. ?C2N/Mg(OH)2模型結(jié)構(gòu)如圖2所示,在C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)內(nèi),C2N單層保持固定,而頂部Mg(OH)2單層經(jīng)歷0°、60°和120°的旋轉(zhuǎn),分別產(chǎn)生AA、BB和CC堆疊構(gòu)型。由于Mg(OH)2單層沿Z軸方向缺乏對(duì)稱性,在含有Mg原子的平面上鏡像AA、BB和CC堆疊結(jié)構(gòu)中的Mg(OH)2單層分別產(chǎn)生AA’、BB’和CC’堆疊結(jié)構(gòu)。在優(yōu)化晶格常數(shù)并進(jìn)行單點(diǎn)能量計(jì)算后,AA、BB、CC、AA’、BB’和CC’堆疊構(gòu)型的結(jié)合能分別為?0.943 eV、?0.932 eV、–0.867 eV、-0.9335 eV和?0.936 eV,相應(yīng)的層間距分別為2.295?、2.317?、2.3?、2.431?、2.290?和2.2?。因此,AA堆疊結(jié)構(gòu)具有最高的穩(wěn)定性。圖3. C2N/Mg(OH)2聲子色散譜和AIMD模擬如圖3(a)所示,除了三個(gè)聲學(xué)分支中的一個(gè)之外,C2N/Mg(OH)2在高對(duì)稱Γ點(diǎn)上具有一個(gè)微小的虛部。這一現(xiàn)象表明,由于晶格的簡(jiǎn)諧振動(dòng),異質(zhì)結(jié)中存在沿波矢量的振動(dòng)模式。原子之間的相對(duì)半徑差異是造成這種現(xiàn)象的原因,但它仍然處于一個(gè)穩(wěn)定的范圍內(nèi)。作者進(jìn)行了從頭算分子動(dòng)力學(xué)(AIMD)模擬,以研究該系統(tǒng)在300K下的熱穩(wěn)定性,如圖3(b)所示,AIMD模擬過(guò)程中異質(zhì)結(jié)的溫度和總能量具有微弱的波動(dòng)。這表明,C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)具有優(yōu)異的穩(wěn)定性。圖4. 能帶結(jié)構(gòu)、PDOS和電荷密度如圖4(a)和圖4(b)所示,C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)的CBM和VBM位于Г點(diǎn),并保持直接帶隙半導(dǎo)體特性,以及具有2.01eV的帶隙。作者發(fā)現(xiàn)C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)的CBM和VBM來(lái)自不同的單層,并形成交錯(cuò)的能帶結(jié)構(gòu)。C2N單層對(duì)CBM有貢獻(xiàn),而Mg(OH)2單層對(duì)VBM有貢獻(xiàn)。如圖4(c)所示,異質(zhì)結(jié)的CBM位于C2N單層中,而VBM位于Mg(OH)2單層中。這種獨(dú)特的能帶排列可以在空間上自發(fā)地分離光生電子-空穴對(duì),從而有利于抑制載流子復(fù)合。圖5. 靜電勢(shì)分布和平均差分電荷密度如圖5(a)和圖5(b)所示,C2N和Mg(OH)2單層的功函數(shù)分別為5.847eV和4.248eV。因此,當(dāng)C2N和Mg(OH)2接觸時(shí),Mg(OH)2層內(nèi)的電子將向C2N層遷移,直到達(dá)到費(fèi)米能級(jí)的平衡狀態(tài)。這種現(xiàn)象導(dǎo)致電子在由C2N和Mg(OH)2形成的異質(zhì)結(jié)界面處重新分布。如圖5(c)所示,C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)的功函數(shù)為4.439eV。圖6. C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)的直接Z型機(jī)理示意圖如圖6(a)所示,正電荷在Mg(OH)2單層中積聚,而負(fù)電荷在C2N單層中積聚。兩層之間的這種電荷不平衡在Mg(OH)2和C2N的界面處產(chǎn)生內(nèi)部電場(chǎng)。Mg(OH)2單層內(nèi)的電子受到C2N層內(nèi)電子的排斥,導(dǎo)致Mg(OH)2的能帶在界面處向上彎曲。相反,C2N單層的能帶在相反的方向上彎曲。C2N和Mg(OH)2單層可以在光子激發(fā)時(shí)產(chǎn)生電子-空穴對(duì),具體如圖6(b)所示。如圖6(c)所示,固有電場(chǎng)和附加勢(shì)壘的存在阻礙了電子(空穴)在C2N和Mg(OH)2單層CBM(VBM)之間的轉(zhuǎn)移。如圖6(d)所示,固有電場(chǎng)阻礙了Mg(OH)2的CB中由光激發(fā)產(chǎn)生的電子與C2N的VB中由光激產(chǎn)生的空穴之間的復(fù)合過(guò)程。電荷密度在C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)界面附近發(fā)生再分配,具體如圖5(d)所示。圖7. 能帶邊緣位置如圖7(a)和(b)所示,C2N和Mg(OH)2單層的能帶邊緣位置在pH=0時(shí)穿過(guò)水分解所需的氧化(?5.67 eV)和還原(?4.44 eV)電勢(shì)。由于在單個(gè)C2N和Mg(OH)2單層中光生載流子的高速?gòu)?fù)合,光生電荷的有效分離變得極具挑戰(zhàn)性。如圖7(c)所示,當(dāng)pH=0和pH=7時(shí),作者發(fā)現(xiàn)H+/H2的還原電勢(shì)分別為?4.44eV和?4.027eV,而H2O/O2的氧化電勢(shì)分別為?5.67eV和–5.257eV。對(duì)于C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié),?0.885eV的CBM顯著超過(guò)H+/H2的還原電勢(shì),而?6.598eV的VBM低于H2O/O2的氧化電勢(shì)。圖8. 光吸收譜如圖8所示,與C2N和Mg(OH)2的獨(dú)立單層相比,后者在紅外和紫外域內(nèi)具有更廣的吸收光譜和更高的光吸收能力。C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)具有105 cm-1的光吸收強(qiáng)度。因此,C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)可以有效地提高單層材料的光學(xué)性能。結(jié)論與展望結(jié)果表明,C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)具有交錯(cuò)的能帶構(gòu)型,并實(shí)現(xiàn)了Z型電荷轉(zhuǎn)移模式。這種機(jī)制促進(jìn)了C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)內(nèi)e-h對(duì)的復(fù)合,導(dǎo)致光生電子在Mg(OH)2層中和光生空穴在C2N層中的長(zhǎng)時(shí)間保留。C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)在酸性(pH=0)和中性(pH=7)條件下表現(xiàn)出與水溶液氧化還原電位交叉的氧化還原電勢(shì),從而促進(jìn)水分解的光催化過(guò)程。因此,直接Z型C2N/Mg(OH)2異質(zhì)結(jié)作為水分解的特殊光催化劑具有巨大潛力。文獻(xiàn)信息Jiabin Wang et.al Direct Z-scheme construction of C2N/Mg(OH)2 heterojunction and first-principles investigation of photocatalytic water splitting,International Journal of Hydrogen Energy,2023https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2023.12.089