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【純計算】Int. J. Hydrogen Energy:高效利用太陽能的可見光催化二維CrSe2/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)

【純計算】Int. J. Hydrogen Energy:高效利用太陽能的可見光催化二維CrSe2/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)
成果簡介
設(shè)計二維(2D)范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)(vdWH)是提高光催化性能和收集太陽能的有效方法之一。在這里,中央民族大學(xué)李傳波、張曉明等人提出了一種新型的CrSe2/GaN-vdWH,其可作為一種用于全解水的有效光催化劑。
計算方法
基于密度泛函理論(DFT),作者利用CASTEP軟件包進行幾何優(yōu)化和能量計算,并采用超軟贗勢來研究價電子與離子的相互作用,以及使用廣義梯度近似(GGA)環(huán)境下的Perdew-Burke-Ernzerhof(PBE)泛函來描述交換關(guān)聯(lián)勢。此外,作者采用色散校正方法(DFT-D3)來處理范德華相互作用。由于GGA-PBE泛函計算的帶隙偏小,因此作者使用混合泛函(HSE06)來研究光電性質(zhì),并將平面波基組的截止能量設(shè)置為500eV。而對于幾何優(yōu)化和電子性質(zhì)計算,作者使用Γ中心的9×9×1 Monkhorst-Pack網(wǎng)格對第一布里淵區(qū)進行采樣。
在結(jié)構(gòu)優(yōu)化之前,作者在z軸方向上施加20 ?的真空層來屏蔽周期性效應(yīng),并且將能量、應(yīng)力、力和位移的收斂標(biāo)準(zhǔn)分別設(shè)置為10?6 eV/atom,0.05 GPa,0.03 eV/?,和0.001?。異質(zhì)結(jié)中的元素價電子如下,即Cr的為3d54s1、Se的為4s24p4、Ga的為4s24p1和N的為2s22 p3。作者利用密度泛函微擾理論對聲子色散進行了計算,以評估其動力學(xué)穩(wěn)定性。
此外,為了評估CrSe2/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的熱穩(wěn)定性,作者還計算了3×3×1超晶格的從頭算分子動力學(xué)(AIMD)模擬,其中溫度由Nosè算法控制,整個系統(tǒng)在300K下模擬時長為6ps,并且時間步長為2fs。
結(jié)果與討論
【純計算】Int. J. Hydrogen Energy:高效利用太陽能的可見光催化二維CrSe2/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)
圖1 CrSe2/GaN vdWH的六種堆疊結(jié)構(gòu)
CrSe2和GaN結(jié)構(gòu)是屬于P-6m2空間群的六方晶系,相應(yīng)的晶格常數(shù)分別為3.16?和3.22?。CrSe2/GaN-vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)的六種可能堆疊由I、II、III、IV、V和VI表示(圖1)。通過將CrSe2單層圍繞Se或Cr原子旋轉(zhuǎn)60°,作者構(gòu)建了六種不同的堆疊結(jié)構(gòu)。此外,作者發(fā)現(xiàn)I-VI異質(zhì)結(jié)具有幾乎相同的晶格常數(shù)(3.194–3.200?)。
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圖2 聲子色散譜和AIMD模擬
如圖2(a和b)所示,CrSe2單層具有9個聲子分支,而GaN單層具有6個聲子分支。其中CrSe2納米片和GaN納米片具有三種聲學(xué)聲子模式:縱向聲學(xué)(LA)模式、橫向聲學(xué)(TA)模式和平面外聲學(xué)(ZA)模式,而光學(xué)聲子有三個分支:縱向光學(xué)(LO)模式、橫向光學(xué)(to)模式和面外光學(xué)(ZO)模式。其中LA和ZA聲模具有線性色散,而ZA具有二次色散。從聲子色散譜中可以看出,這六種結(jié)構(gòu)都沒有虛頻,表明它們都具有動力學(xué)穩(wěn)定性。而從頭算分子動力學(xué)模擬也用于確定vdW異質(zhì)結(jié)的熱穩(wěn)定性(圖2i)??梢钥闯觯谄胶飧浇?,異質(zhì)結(jié)的原子在熱處理后的6ps模擬期內(nèi)輕微振動,從而證明CrSe2/GaN-vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)在300K下仍能保持穩(wěn)定。
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圖3 能帶結(jié)構(gòu)
作者首先研究了CrSe2和GaN單層的電子性質(zhì),相應(yīng)的電子能帶結(jié)構(gòu)如圖3(a和b)所示。其中CrSe2單層是K點的直接帶隙(1.40 eV)半導(dǎo)體,而GaN單層在K點和Γ點之間具有間接帶隙(3.31eV)。此外,圖3(c–h)顯示了所有CrSe2/GaN-vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu),并且所有CrSe2/GaN范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)(I-VI)在K點都具有直接帶隙。CrSe2/GaN-vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有II型能帶排列,因為CBM來自CrSe2(Cr-d),VBM來自GaN(N-p)。
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圖4 能級結(jié)構(gòu)
如圖4所示,在CrSe2單層和GaN單層堆疊形成CrSe2/GaN-vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)之后,電子開始從GaN片流到CrSe2片,并且直到CrSe2層和GaN層的費米能級對齊為止,以及產(chǎn)生了內(nèi)置電場(Eint)。從圖4所示的帶狀排列來看,堆疊-I具有II型帶狀邊緣,并且光生電子和空穴分別積聚在CrSe2和GaN片上。此外,本征電場Eint的方向是從CrSe2單層到GaN單層,從而允許額外的空穴移動到GaN納米片,電子將轉(zhuǎn)移到CrSe2納米片,進而限制光生空穴和電子的復(fù)合。
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圖5 z方向的電荷密度差和光學(xué)吸收譜
圖5(a)描述了Z方向上的電荷密度差,其中正值(藍色區(qū)域)表示電荷累積,而負值(黃色區(qū)域)表示電荷耗盡。從圖中可以明顯看出,電荷密度重新分布發(fā)生在CrSe2/GaN異質(zhì)結(jié)的邊界上,并且電荷從CrSe2轉(zhuǎn)移到GaN單層。因此,電子在GaN層附近積累,同時在CrSe2區(qū)域消耗,這導(dǎo)致界面偶極子的發(fā)展和內(nèi)置電場的發(fā)展。圖5(b)展示了CrSe2單層、GaN單層和CrSe2/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光學(xué)吸收光譜。CrSe2單層對可見光和紫外光表現(xiàn)出非常好的吸收性能,而GaN單層在3.05至6 eV(近紫外)的能量范圍內(nèi)表現(xiàn)出顯著的光學(xué)吸收。然而,CrSe2/GaN的光吸收性能顯著增加,這表明其太陽能利用率的提高,即從近紅外開始,并在可見光區(qū)域持續(xù)增加。因此,CrSe2/GaN-vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有足夠的能量來促進載流子的分離和吸收光子后的躍遷。
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圖6 勢能面,與其他材料的光制氫對比
此外,團隊研究了水分解過程中的HER和OER吉布斯自由能,以更好地了解CrSe2/GaN-vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)的光催化性能。如6(a)所示,CrSe2/GaN-vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)上HER的ΔG約為1.42eV。而如圖6(c)所示,GaN表面具有比CrSe2側(cè)低得多的H吸附吉布斯自由能,這表明HER可以更容易在GaN表面發(fā)生。此外,OER半反應(yīng)的自由能圖如圖6(b)所示,其中*O到*OOH的轉(zhuǎn)換是速率決定步驟,其值為2.95eV。根據(jù)光生空穴的1.72eV電勢,O2不能自發(fā)產(chǎn)生。而當(dāng)施加外部電勢時(圖6d),CrSe2/GaN-vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以在實際的熱力學(xué)環(huán)境下對水進行光催化。
結(jié)論與展望
熱力學(xué)穩(wěn)定的CrSe2/GaN vdWHs具有直接帶隙,并且屬于II型能帶排列,以及具有足夠的動力學(xué)氧化還原電勢來實現(xiàn)光解水。此外,本征電場加速了光生載流子的分離,并且CrSe2/GaN-vdWH具有比CrSe2單層更高的載流子遷移率。此外,作者發(fā)現(xiàn)vdWH在可見光和紫外區(qū)域具有高光學(xué)吸收,并且CrSe2/GaN-vdWH具有較高的太陽能到氫能轉(zhuǎn)換效率(33.41%)。吉布斯自由能表明,在外部電場的作用下,氧化還原反應(yīng)(HER&OER)可以持續(xù)發(fā)生。因此,CrSe2/GaN-vdW異質(zhì)結(jié)構(gòu)可以成為一種具有高太陽能轉(zhuǎn)化率的優(yōu)異水分解光催化劑。
文獻信息
Jingjing Wang et.al Two-dimensional CrSe2/GaN heterostructures for visible-light photocatalysis with high utilization of solar energy International Journal of Hydrogen Energy 2023
https://doi.org/10.1016/j.ijhydene.2023.06.222

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