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中國工程院院士,前昆明理工校長彭金輝,再發(fā)Nature子刊!多異質(zhì)界面和陽離子缺陷的CuCo2S4@膨脹石墨異質(zhì)結(jié)構(gòu)應(yīng)用前景!

研究背景

先進(jìn)電子設(shè)備和無線通信技術(shù)的飛速發(fā)展,給人們的生活帶來了極大的便利,但同時(shí)也產(chǎn)生了不可忽視的電磁輻射污染。這種污染會(huì)嚴(yán)重干擾周圍電子元件的正常工作,降低信息安全和通信質(zhì)量,危害人體健康。開發(fā)先進(jìn)的電磁波(EMW)吸波材料是解決這一問題的最有效途徑之一,這些材料通常具有重量輕、吸波強(qiáng)、厚度薄、帶寬寬等特點(diǎn)。膨脹石墨(EG)、石墨烯(GR)和碳納米管(CNTs)等碳材料具有密度低、官能團(tuán)豐富、電學(xué)性質(zhì)可調(diào)等優(yōu)點(diǎn),具有良好的吸收前景。如何平衡具有高EMW吸收性能的碳材料的阻抗匹配特性是該領(lǐng)域研究的重點(diǎn)。當(dāng)前,設(shè)計(jì)構(gòu)建非均相界面或缺陷是制備高性能碳基吸波材料的主要途徑。非均質(zhì)界面的設(shè)計(jì)使材料具有合適的復(fù)介電常數(shù),有利于改善阻抗匹配。非均相界面的構(gòu)建導(dǎo)致附近電子和晶體結(jié)構(gòu)的不對(duì)稱,這些缺陷導(dǎo)致晶格畸變、電荷不匹配和能帶遷移,也有利于EMW的衰減。所有這些措施都有望提高材料的吸收性能。
成果簡(jiǎn)介
碳基電磁波吸收材料是一種新型的吸波材料,它的結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)、界面和缺陷工程等特點(diǎn)為先進(jìn)碳基電磁波吸波器的設(shè)計(jì)注入了無限的活力。然而,從微觀和宏觀的角度來理解界面和偶極子效應(yīng),而不是半經(jīng)驗(yàn)規(guī)律,可以促進(jìn)異質(zhì)界面和缺陷的設(shè)計(jì),以調(diào)節(jié)材料的阻抗匹配和電磁波吸收,這是目前所缺乏的。
近日,昆明理工大學(xué)彭金輝院士、許磊教授課題組報(bào)道了具有多異質(zhì)界面和陽離子缺陷的CuCo2S4@膨脹石墨異質(zhì)結(jié)構(gòu),組分的形貌、界面和缺陷可通過改變金屬離子濃度來調(diào)節(jié)。結(jié)果表明,三維花蜂窩形態(tài)、晶晶/非晶異質(zhì)界面和豐富的陽離子缺陷可以有效調(diào)節(jié)碳材料的導(dǎo)電和極化損耗,實(shí)現(xiàn)碳材料的阻抗匹配平衡,提高對(duì)電磁波的吸收。CEG-6樣品在1.4 mm處實(shí)現(xiàn)了對(duì)Ku波段的有效吸收,RLmin為-72.28 dB,有效吸收帶寬為4.14 GHz,而填充量?jī)H為7.0 wt. %。
本文報(bào)道了晶體-晶體/非晶異質(zhì)界面、陽離子缺陷和碳材料阻抗匹配之間電位關(guān)系的建立。這項(xiàng)工作以“Synthesis of CuCo2S4@Expanded Graphite with crystal/amorphous heterointerface and defects for electromagnetic wave absorption”為題發(fā)表在國際頂級(jí)期刊《Nature Communications》上。祝賀!
中國工程院院士,前昆明理工校長彭金輝,再發(fā)Nature子刊!多異質(zhì)界面和陽離子缺陷的CuCo2S4@膨脹石墨異質(zhì)結(jié)構(gòu)應(yīng)用前景!
彭金輝,中國工程院院士,昆明理工大學(xué)教授、博士生導(dǎo)師,中國有色金屬學(xué)會(huì)特種冶金專業(yè)委員會(huì)主任、微波能工程應(yīng)用及裝備技術(shù)國家地方聯(lián)合工程實(shí)驗(yàn)室主任。曾任云南民族大學(xué)校長、黨委副書記,昆明理工大學(xué)校長、黨委副書記。

中國工程院院士,前昆明理工校長彭金輝,再發(fā)Nature子刊!多異質(zhì)界面和陽離子缺陷的CuCo2S4@膨脹石墨異質(zhì)結(jié)構(gòu)應(yīng)用前景!

圖文導(dǎo)讀
中國工程院院士,前昆明理工校長彭金輝,再發(fā)Nature子刊!多異質(zhì)界面和陽離子缺陷的CuCo2S4@膨脹石墨異質(zhì)結(jié)構(gòu)應(yīng)用前景!
圖1. CuCo2S4@EG異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備及微觀結(jié)構(gòu)示意圖
中國工程院院士,前昆明理工校長彭金輝,再發(fā)Nature子刊!多異質(zhì)界面和陽離子缺陷的CuCo2S4@膨脹石墨異質(zhì)結(jié)構(gòu)應(yīng)用前景!
圖2. CuCo2S4@EG異質(zhì)結(jié)構(gòu)的形態(tài)和組成表征
在此,作者提出了一種通過晶體/非晶異質(zhì)界面和陽離子缺陷調(diào)節(jié)碳基吸收材料阻抗匹配的策略。采用微波溶劑熱法在三維碳基體(EG)上原位生長CuCo2S4,成功制備了三維花蜂窩CuCo2S4@EG異質(zhì)結(jié)構(gòu),并通過銅和鈷原子的比例調(diào)節(jié)了CuCo2S4的花形狀。這種獨(dú)特的三維非均質(zhì)結(jié)構(gòu)可提供豐富的異質(zhì)界面和缺陷,可有效調(diào)節(jié)碳基材料的阻抗匹配,實(shí)現(xiàn)EMW的多重衰減。本研究闡明了CuCo2S4@EG EMW吸波材料的內(nèi)部組成、結(jié)構(gòu)和功能之間的關(guān)系,為開發(fā)和設(shè)計(jì)高性能三維碳基吸波材料提供了一種簡(jiǎn)單有效的策略。
CuCo2S4@EG復(fù)合材料的制備過程示意圖如圖1所示。在研究中,利用EG構(gòu)建了三維蜂窩狀碳基導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)主干網(wǎng)。作者測(cè)量了微波處理前后EG的結(jié)構(gòu)和物理特性。與一般的Hummer方法相比,微波制備的EG具有更好的導(dǎo)電性和優(yōu)異的導(dǎo)熱性。同時(shí),EG獨(dú)特的蜂窩結(jié)構(gòu)有助于形成完善的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)EMW的多次反射。此外,采用微波溶劑熱法在三維蜂窩EG上快速原位生長CuCo2S4納米花陣列,形成花蜂窩CuCo2S4@EG異質(zhì)結(jié)構(gòu)。預(yù)計(jì)這種獨(dú)特的花蜂窩異質(zhì)結(jié)構(gòu)有利于增強(qiáng)EMW的多次反射和界面極化損耗。
中國工程院院士,前昆明理工校長彭金輝,再發(fā)Nature子刊!多異質(zhì)界面和陽離子缺陷的CuCo2S4@膨脹石墨異質(zhì)結(jié)構(gòu)應(yīng)用前景!
圖3. CuCo2S4@EG的電磁參數(shù)
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圖4. CuCo2S4@EG的電磁波吸收性能
中國工程院院士,前昆明理工校長彭金輝,再發(fā)Nature子刊!多異質(zhì)界面和陽離子缺陷的CuCo2S4@膨脹石墨異質(zhì)結(jié)構(gòu)應(yīng)用前景!
圖5. 吸波機(jī)理分析
基于傳輸線理論對(duì)CuCo2S4@EG樣品的電磁吸收性能進(jìn)行了評(píng)價(jià)。最優(yōu)吸收器應(yīng)能夠衰減入射EMW的90%以上,其反射損耗(RL)值小于-10 dB,其對(duì)應(yīng)的頻率范圍作為有效吸收帶寬(EAB)。CEG-6樣品在超低填充量(7.0 wt.%)下表現(xiàn)出最強(qiáng)的EMW吸收能力。CGE-6在Ku波段的RLmin和EAB值分別達(dá)到-72.28 dB和4.14 GHz,而厚度僅為1.4 mm。而CEG-4樣品厚度為1.4 mm時(shí),復(fù)合材料在Ku波段的RLmin和EAB值分別為-19.29 dB和3.12 GHz。此外,EG具有超低的EMW吸收特性,其最小反射損耗(RL min)僅為-7.07 dB。
作者研究發(fā)現(xiàn)復(fù)合材料的阻抗匹配和EMW吸收能力可以通過改變形貌和構(gòu)建晶體-晶體/非晶異質(zhì)界面和陽離子空位來調(diào)節(jié)。如圖5d所示,三維花蜂窩形態(tài)可以有效提高EWM的散射面積,降低吸收器密度。同時(shí),這種3D形態(tài)也可以作為一個(gè)相互連接的導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò),為電子遷移提供途徑,并誘導(dǎo)導(dǎo)電損耗的產(chǎn)生。此外,EG與CuCo2S4之間的異質(zhì)界面導(dǎo)致界面電荷分布不均勻,從而促進(jìn)了界面極化。在EG和CuCo2S4組分中存在的空位和晶格缺陷會(huì)導(dǎo)致偶極子的產(chǎn)生,并促進(jìn)偶極子極化。因此,引入CuCo2S4構(gòu)建異質(zhì)界面和調(diào)節(jié)金屬陽離子缺陷是實(shí)現(xiàn)阻抗匹配的有效方法。
總結(jié)展望
綜上所述,通過微波加熱制備了一種獨(dú)特的三維花蜂窩CuCo2S4@EG復(fù)合材料,該復(fù)合材料具有豐富的晶-晶/晶-非晶界面和陽離子缺陷。通過調(diào)節(jié)金屬離子濃度,可以控制CuCo2S4的組分形態(tài)、界面和缺陷。這種獨(dú)特的三維異質(zhì)結(jié)構(gòu)和豐富的陽離子缺陷有利于促進(jìn)界面極化和偶極極化,實(shí)現(xiàn)傳導(dǎo)損耗和極化損耗平衡,有效調(diào)節(jié)碳基材料的阻抗匹配。因此,通過實(shí)現(xiàn)EMW的多重衰減和損耗,獲得了較高的EMW吸收性能。特別是,CEG-6的EMW吸收性能令人滿意,在填充率僅為7.0 wt. %,厚度為1.4 mm時(shí),復(fù)合材料的RLmin為-72.28 dB, EAB為4.14 GHz。
該研究對(duì)通過晶-晶/晶-非晶異質(zhì)界面和陽離子缺陷調(diào)節(jié)碳基吸收材料的阻抗匹配具有重要意義。這項(xiàng)工作不僅為開發(fā)和設(shè)計(jì)高性能三維碳基吸波材料提供了一種簡(jiǎn)單有效的策略,而且為平衡其他EMW吸波材料的阻抗匹配提供了新的視角。
文獻(xiàn)信息
Synthesis of CuCo2S4@Expanded Graphite with crystal/amorphous heterointerface and defects for electromagnetic wave absorption. (Nat. Commun. 2023, DOI: 10.1038/s41467-023-41697-6)
https://doi.org/10.1038/s41467-023-41697-6
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