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目前鋰離子電池(LIBs)商業(yè)化主要以石墨負極為主,其理論容量較低(372 mAh/g),Li+脫嵌動力學較慢,能量密度和功率密度有限。作為替代方案,尖晶石型Li4TiO12?(LTO)因其對Li+的快速脫嵌動力學而備受關(guān)注;然而,存在著低理論容量(175 mAh/g)和高氧化還原電位(1.55 V vs. Li+/Li)等問題。
除了上述材料,大量研究探索了含有高能量密度組分的材料,如石墨-硅復合材料,但這種高能量組分往往表現(xiàn)出緩慢的電化學反應(yīng)動力學,在Li+脫嵌過程中體積膨脹問題嚴重,導致功率性能不理想以及容量衰減快。
因此,開發(fā)具有高比容量、快速的Li+脫嵌動力學、結(jié)構(gòu)和電化學性能穩(wěn)定的新型材料對開發(fā)高能量/功率密度及長循環(huán)穩(wěn)定性的LIBs至關(guān)重要。
理論容量為744 mAh/g的石墨烯,具有10000?cm2?V-1?s??的超快電子遷移率和超高的Li+擴散率(10-7-10-6?cm2?s-1),作為高能LIBs負極材料具有巨大的前景。遺憾的是,不同方法制備出的石墨烯性能差異較大,這種優(yōu)異的性能往往只能在高品質(zhì)的石墨烯中實現(xiàn),石墨烯的缺陷以及石墨烯片的不可逆堆積會降低其導電性、電化學穩(wěn)定性和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性,同時還會影響電池電壓分布和能量密度。因此,設(shè)計開發(fā)出精妙的石墨烯結(jié)構(gòu)來解決上述問題是目前研究的重點。
近日,加州大學洛杉磯分校盧云峰教授(通訊作者)團隊、北京科技大學王戈教授(共同通訊作者)聯(lián)合新奧集團首席化工專家李金來(共同通訊作者)在Nature Communications上發(fā)表了研究成果。
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本文報道了一種高品質(zhì)的N摻雜多孔石墨烯(HNMG)應(yīng)用于LIBs負極,這種獨特的結(jié)構(gòu),避免了傳統(tǒng)石墨烯在充放電過程中存在的石墨烯層不可逆堆積問題,延長了循環(huán)壽命,提高了庫侖效率;同時研究了不同電極覆載質(zhì)量下的性能表現(xiàn)以及活性物質(zhì)利用率,證實了商用的可能性。
研究亮點
1)采用CVD法及微波輻射制備出了高品質(zhì)的N摻雜介孔石墨烯,厚度~0.34 nm,層數(shù)~7層;
2)介孔結(jié)構(gòu)(平均孔尺寸為3.5 nm)提供了大量的Li+存儲位點、有效的離子傳輸路徑,緩解了充放電過程中的體積變化。
3)N摻雜改善了電極-電解質(zhì)間的相互作用,提供了親鋰表面及均勻的形核位置,形核過電位小。
圖文導讀
圖1?HNMG顆粒的合成示意圖
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以介孔氧化鎂(MgO)為模板和催化劑,以乙腈為前驅(qū)體,通過化學氣相沉積(CVD)在MgO顆粒內(nèi)生長出N摻雜石墨烯,當MgO模板去除后,N摻雜介孔石墨烯顆粒(NMG)便形成了。
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石墨烯在MgO上的生長是通過碳氫化合物的自由基縮合來實現(xiàn)的,因此與其他金屬催化劑相比,MgO模板通常會導致石墨烯材料具有更高的缺陷密度,這一點通過后續(xù)的微波輻射可以得到降低。
圖2?形貌和結(jié)構(gòu)表征
(a)MgO的SEM;(b)MgO的TEM;(c-d)HNMG的EDS;(e)HNMG的SEM;(f-h)HNMG的TEM及SAED;(i)孔徑分布;(j)XRD;(K)Raman。
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MgO模板的SEM和TEM圖顯示,其具有徑向多孔通道的特殊形貌,顆粒的平均尺寸~7 μm。經(jīng)CVD工藝后,N摻雜石墨烯均勻地沉積在MgO模板粒子上,這點通過元素分布得到了證實(圖2 (c-d))。
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經(jīng)微波輻射處理后的NMG(即HNMG)同樣具有三維介孔通道,其中孔支架的厚度為2.1 nm;選區(qū)電子衍射(SAED)顯示,上述孔支架由7層石墨烯組成,平均層厚僅為0.34 nm。XRD和拉曼光譜顯示:HNMG相比于NMG具有強度更高、半峰寬更窄的衍射峰(圖2 (j)),以及更低的ID/IG比(圖2 (k)),進一步證實了微波輻射對石墨烯結(jié)構(gòu)的重構(gòu)和缺陷密度的降低起到了明顯的促進作用,這可以歸因于C-N鍵能夠有效地吸收微波輻射。
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圖3 HNMG、NMG、石墨電極的電化學性能
(a)循環(huán)性能;(b)倍率性能;(c)不同倍率下的體積比容量;(d)阻抗譜。
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如圖3(a),由覆載量為1?mg/cm2的HNMG顆粒所制備的電極,在2 C的倍率下:初始放電容量為945 mAh/g,充電容量723 mAh/g,庫侖效率為76.5 %,這與相同覆載量的NMG電極(庫侖效率:64.2 %)和商用石墨電極相比,首效大大提升。
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通常地,不可逆容量的損失主要歸因于電解質(zhì)的分解以及在電極表面形成的固體電解質(zhì)界面(SEI),在HNMG電極上表現(xiàn)出的較高庫侖效率可以解釋為石墨烯支架的品質(zhì)相對于NMG電極更好。
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HNMG的倍率性能遠遠好于NMG、石墨電極,尤其在60 C的高倍率下,HNMG仍能提供448 mAh/g的可逆容量,這幾乎是NMG電極(163 mAh/g)的3倍,石墨電極(6 mAh/g)的70倍,HNMG優(yōu)異的可逆性可以歸因于高振實密度(0.63 g/cm3)的HNMG顆粒以及它們所具有的高比容量和高倍率特性。
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此外,電化學阻抗譜進一步證實了HNMG電極出色的倍率性能是其有效且快速的電荷傳輸所致,如圖3 (d),HNMG電極具有電小的電荷傳遞電阻、Li+擴散快,經(jīng)計算,擴散系數(shù)比石墨電極要高出2-3個數(shù)量極。
圖4 HNMG的循環(huán)穩(wěn)定性及原位TEM研究
(a)長循環(huán)(覆載質(zhì)量:0.25 mg/cm2;倍率:40 C/60 C);(b)指定循環(huán)圈數(shù)后的阻抗譜(1、30、300、3000);(c-d)測試前的SEM;(e-f)3000次循環(huán)后的SEM;(g)原位TEM。
除了具有高倍率性能外,HNMG電極還表現(xiàn)出優(yōu)異的循環(huán)穩(wěn)定性。團隊采用質(zhì)量負載為0.25 mg/cm2的HNMG電極進行高倍率循環(huán)性能測試,在40 C/60 C的倍率下循環(huán)3000 次,容量仍為475和436 mAh/g,容量保有率分別高達99.2 %和99.1 %。
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HNMG出色的循環(huán)穩(wěn)定性可解釋為其獨特的結(jié)構(gòu),3 D介孔結(jié)構(gòu)阻止了石墨烯層的不可逆堆積,同時補償了充放電過程中可能產(chǎn)生的體積變化,而低缺陷密度使不可逆電極反應(yīng)最小化。
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SEM和原位TEM可以觀察到電極在充放電過程中的結(jié)構(gòu)演變情況,如圖4 (c, e)所示,在循環(huán)后電極中的HNMG顆粒保持均勻分散和相互連接,電子傳輸網(wǎng)絡(luò)得到了很好的保留,證實了HNMG的獨特結(jié)構(gòu)可以有效避免在充放電過程中發(fā)生任何實質(zhì)性的體積變化,原位TEM圖像(圖4 (d, f))進一步佐證了上述結(jié)果,在鋰化和脫鋰化前后,HNMG顆粒的形貌、結(jié)構(gòu)和尺寸均保持不變,確認了在嵌/脫鋰過程中電極的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性非常好。
圖5?不同HNMG電極覆載量的性能表現(xiàn)
(a)GCD曲線;(b)循環(huán)曲線;(c)倍率;(d)面容量;(e)不同倍率下,活性物質(zhì)的利用率;(f)與同行工作對比。
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為了讓所制備的電極更加接近實際應(yīng)用,團隊研究了HNMG在不同覆載質(zhì)量(1、3、6?mg/cm2)下的性能表現(xiàn)。
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如圖5(a-c),隨著質(zhì)量覆載質(zhì)量的增加,容量、倍率和循環(huán)穩(wěn)定性能均保持良好;特別地,如圖5 (e)所示的活性材料利用率與倍率的關(guān)系圖顯示,即使在高倍率下,將質(zhì)量負載量從1 mg/cm2增加到6?mg/cm2僅降低10 %利用率,與商用石墨電極相比大大提升,表明了制造出具有性能優(yōu)異的高質(zhì)量負載電極的可行性。
這項研究通過設(shè)計納米級低缺陷密度三維N摻雜介孔石墨烯顆粒,成功得到高品質(zhì)、高性能的石墨烯電極,最大限度地發(fā)揮了石墨烯在快速充放電和高能量密度LIBs中的應(yīng)用潛力。HNMG顆粒獨特的三維介孔結(jié)構(gòu)增強了結(jié)構(gòu)和電化學穩(wěn)定性,有效提高了離子和電子傳輸速率,以及提供了足夠的離子存儲位點,從而使得HNMG電極具備高能量密度和庫侖效率、優(yōu)良的速率性能和長循環(huán)壽命。這項工作為開發(fā)高品質(zhì)石墨烯微觀結(jié)構(gòu)開辟了一條新的途徑,使其在高性能電化學儲能和轉(zhuǎn)化等方面具有實際應(yīng)用價值。
文獻信息
High-quality mesoporous graphene particles as high-energy and fast-charging anodes for lithium-ion batteries(Nat. Commun.?,2019,DOI:?10.1038/s41467-019-09274-y)
供稿丨深圳市清新電源研究院
部門丨媒體信息中心科技情報部
撰稿人丨橋上日月
主編丨張哲旭
原創(chuàng)文章,作者:菜菜歐尼醬,如若轉(zhuǎn)載,請注明來源華算科技,注明出處:http://www.xiubac.cn/index.php/2023/11/21/462521e969/