貴金屬納米材料廣泛應用于催化 以及光電子應用。為了提高貴金屬的利用效率,調整貴金屬納米材料的原子級結構可以提高其催化性能。其中,超薄納米片具有固有的優(yōu)點,包括高比表面積和大量暴露的低配位數的表面活性原子,使其非常適合催化反應。此外,由于表面應變可以通過移動d 帶中心來調節(jié)催化劑的電子結構,d 帶中心與催化過程中反應中間體的吸附能和活化能勢壘密切相關,因此在超薄貴金屬納米片中構建表面應變可以有望增強其內在活性。同時,應變還可以產生不同于平衡熱力學態(tài)的高能活性界面。
通常,表面應變是通過晶格失配產生的,晶格失配廣泛存在于核殼納米結構或金屬-基材界面中。例如,在 PtPb/Pt 核殼納米金屬間化合物中,PtPb 核可以誘導出具有 7.5% 拉伸應變,促使催化劑具有最佳的氧吸附能,從而具有優(yōu)異的氧還原反應性能。此外,通過改變 LiCoO2 載體的晶格間距,可以將超小 Pt 納米粒子的應變從壓縮應變調整為拉伸應變,并進一步優(yōu)化其催化性能。然而,由晶格失配引起的應變是空間依賴性的,通常從界面向最外表面衰減,并在幾個原子層之外消失 。 因此,催化活性與核殼結構中殼的厚度或金屬-載體結構中金屬的尺寸密切相關。鑒于應變界面通常嵌入核-殼納米結構或金屬-載體結構中,所產生的活性界面基本上不會暴露于催化反應。因此,在超薄納米片中開發(fā)面內應變的催化劑材料可以充分暴露催化活性區(qū)域 。具有原子級精度的橫向結構工程是實現超薄納米片平面應變分布的關鍵,但仍然是一個巨大的挑戰(zhàn)。
基于此,中國科學技術大學洪勛和王功名等人 報道通過構建高密度面內無定形- 結晶相界在超薄貴金屬納米片中引入面內應變 。 在厚度為 5 nm 的超薄非晶-結晶 Ir 納米片(表示為 AC-Ir NSs)上,面內非晶-晶相界面可以使納米片產生約 4% 的拉伸應變。此外,拉伸應變可以有效地改變 Ir 位點的 d 帶狀態(tài),從而提高 AC-Ir NSs 的 HER 性能,周轉頻率值(TOF)比基準 Pt/C 催化劑高 4.5 倍。密度泛函理論計算(DFT)證實,拉伸應變優(yōu)化應變 Ir 納米片的 d 帶狀態(tài)和氫吸附特性,從而提高催化性能 。
在核殼結構或者金屬-載體結構中采用晶格失配的方法引入應變,或者通過構建非晶-晶相界面引入面內應變。
TEM確認AC-Ir NSs的納米片尺寸達到微米級;AFM圖確認納米片厚度為2nm,確認超薄特征;STEM-EDS元素mapping展示Ir和C元素在整個納米片內均勻分散;EDS譜確認Ir含量達到~80%;HRTEM圖確認納米片由結晶域非晶域組成 ; FFT以及相應的IFFT確認非晶域的Ir原子的無序排布;結晶域的FFT確認Ir的面心立方排布(fcc) [0–11];Ir (111) 面的晶格間距為0.23 nm;進一步,FFT圖案中存在衍射環(huán)和衍射半點證明結晶-非晶結構 ; 采用高分辨EELS譜進一步確認AC-Ir NSs納米片結晶非晶域的元素分布,其中,C信號主要存在于非晶域,而結晶域幾乎不存在C元素,表明AC-Ir NSs納米片的非晶域是含C的Ir結構。
HRTEM觀察到非晶 – 晶體相界以及界面上的結構斷裂;幾何相位分析(GPA)探索 AC-Ir NSs 晶域中晶格應變的分布和程度,應變值(eyy )隨著遠離相界的距離逐漸減小,晶域的拉伸應變主要集中在4%左右;通過電子衍射圖案的旋轉平均積分進一步采用電子衍射分布(EDP)探索整個納米片的晶格應變;與 Ir 晶體相比,AC-Ir NSs 的衍射峰顯示出顯著的負位移,并且 AC-Ir NSs 的晶格膨脹估計約為 4% 。 因此結合 GPA、EPD 和 XRD 的分析證實非晶-晶界可以在納米片中引入拉伸應變。
圖4. AC-Ir NSs的電子結構和配位結構信息
1). X射線吸收近邊結構(XANES)光譜和一階導數XANES光譜,顯示AC-Ir NSs 中 Ir 的平均電子態(tài)位于金屬態(tài)(Ir)和氧化態(tài)(IrO2 )之間,表明 AC-Ir NSs 中Ir的部分氧化 ; 傅里葉變換擴展 X 射線吸收精細結構 (EXAFS) 光譜發(fā)現~ 2.9 ? 處的峰歸因于 Ir-Ir 鍵,~ 2.0 ? 處的峰歸因于Ir-C 鍵,該鍵主要來源于含 C 的非晶態(tài) Ir 域;
2). 小波變換譜進一步區(qū)分Ir和輕元素之間的鍵合,與強度信號位于7 ?-1 的IrO2 的 Ir-O 配位相比,位于6 ?-1 的強度信號歸因于 Ir-C 配位,與計算的 Ir-C 路徑(k = 6.1 ?-1 ) 而不是Ir-O 路徑 (k = 6.8 ??1 )相匹配 。 此外,11 ?-1 附近的強度對應于 Ir-Ir 配位,對應于 Ir 粉末中的 Ir-Ir 配位,表明 AC-Ir NSs 中IrO2 和IrC2 的含量非常有限;
3). Ir 4f ?X 射線光電子能譜 (XPS) 光譜表明,在 AC-Ir NS 中,Ir 物種的金屬態(tài)和氧化態(tài)同時存在,其中金屬 Ir 占據優(yōu)勢物種;此外,AC-Ir NSs 中 Ir 的氧化峰位于 62.2 和 65.0 eV,與商業(yè) IrO2 (62.5 eV 和 65.4 eV)相比發(fā)生負移,表明 AC-Ir NSs 中 Ir 的化學狀態(tài)不同來自 IrO2 中的 Ir-O 鍵;
4). 為了探索面內應變影響的電子結構,使用基于同步加速器的價帶譜,其中價帶譜中位于 0 和 2 eV 之間的峰可歸因于金屬 d 帶。對于 AC-Ir NS、C-Ir NS 和 A-Ir NS,價帶最大值確定為~ 0.68 eV、0.52 eV 和 1.45 eV。AC-Ir NSs 中關于費米能級 (EF ) 的金屬 d 帶最大值顯示出相對于 C-Ir NSs 的正偏移,表明面內應變可以調節(jié) AC-Ir NSs 中 Ir 位點的 d 帶結構 。
1). DFT計算研究 AC-Ir NS、C-Ir NS 和 A-Ir NS 納米片,揭示應變電子結構對表面吸附行為的影響。首先,表面變形電子密度分析表明,非晶疇的電子密度明顯強于晶疇,表明電子從晶疇轉移到 AC-Ir NSs 中的非晶疇 ;Bader電荷分析表明對于拉伸應變?yōu)?0% 至 20% 的 AC-Ir NS,計算的Bader 電荷轉移分別為 1.52、0.7、0.7、0.67、0.65、1.39 eV ;
2).計算AC-Ir NS 中 Ir 位點的部分態(tài)密度 (PDOS),證明面內拉伸應變對電子 d 帶的調制。具有 4% 拉伸應變 (-2.16 eV) 的 AC-Ir 表面上 Ir 的d xz+yz+z 2帶中心位于 C-Ir NSs (-1.95 eV) 和 A-Ir NSs (-2.42 eV) 的值之間,與光譜結果相匹配;PDOS結果表明相對于C-Ir NSs,AC-Ir NSs中金屬-H反鍵軌道的反鍵態(tài)下降和更多電子填充,這表明AC-Ir NSs可能具有相對較弱的Ir-H相互作用和優(yōu)異的電催化HER性能;
3). 緊接著計算AC-Ir NS表面的標準氫吸附吉布斯自由能(ΔGH* )。在具有 4% 拉伸應變的 AC-Ir NSs 表面上的 H* 吸附能(-0.06 eV)比在 A-Ir NSs (0.22 eV)、C-Ir NSs (-0.37 eV) 和 Pt/C(-0.23 eV) 催化劑上的吸附更佳,表明具有 4% 拉伸應變的 AC-Ir NS 具有最高的本征HER 活性 。 此外,與沒有拉伸應變的 AC-Ir NSs 相比,應變的 AC-Ir NSs 具有數量更多的ΔGH* 的 Ir 活性位點,表明拉伸應變可以有效提高 AC-Ir NSs 中的活性位點數量;
4).總結Ir 位點的 d xz+yz+z 2帶中心和 AC-Ir NSs 的 ΔGH* 與拉伸應變的函數。隨著 AC-Ir NSs 中拉伸應變的增加,帶中心顯示向上移動的趨勢,而與 C-Ir NSs 相比,總是向下移動。在不同程度的晶格膨脹中,ΔGH* 在4%左右的拉伸應變下達到最佳值,表明4%的拉伸應變對提高本征HER活性具有重要作用 。
1). 為了評估應變對催化性能的影響,在酸性介質中測試AC-Ir NSs的 HER性能。從極化曲線發(fā)現,為實現10 mA cm?2 的電流密度,AC-Ir NS 需要低得多的過電位,即17 mV vs. RHE;相比之下,A-Ir NSs,C-Ir NSs以及Pt/C催化劑需要的過電位達到65 mV,32 mV和20 mV ;
2). 塔菲爾曲線闡明反應動力學。AC-Ir NSs的 Tafel 斜率(27 mV dec-1 )略低于 Pt/C 催化劑 (29 mV dec-1 ),這表明 AC-Ir NSs 的 HER 途徑遵循 Volmer-Tafel機制,并且吸附氫原子的解離為速率決定步驟;此外,AC-Ir NSs的交換電流密度(1.78 mA cm-2 )遠大于 A-Ir NSs (0.32 mA cm-2 )、C-Ir NSs (1.03 mA cm-2 ) 和 Pt/ C 催化劑 (1.36 mA cm-2 ),表明在所有測試的催化劑中,AC-Ir NSs 對 HER 具有更快的動力學和更高的本征活性 ; 另外,AC-Ir NS 在 50 mV vs. RHE的過電位下實現1503.2 A g-1 的質量活性,是 Pt/C, C-Ir NSs (222.9 A g-1 )和A-Ir NSs (32.0 A g-1 )催化劑(694.4 A g-1 )的 2.2、6.7和 47.0 倍;
3). 進一步研究電化學阻抗譜(EIS)。AC-Ir NSs 的電荷轉移電阻低于 A-Ir NSs 和 C-Ir NSs,表明 AC-Ir NSs 具有快速的電荷轉移動力學;AC-Ir NS 在 30 mV vs. RHE的過電位下實現 3.61 H2 s-1 的高周轉頻率(TOF)值,是 Pt/C 催化劑(0.81 H2 s-1 )以及C-Ir NSs (0.60 H2 s-1 )的4.5和 6.0 倍 ; 結合 Tafel 斜率、質量活性和 TOF 值,證實面內應變工程顯著提高Ir 納米片的本征活性;
4).使用加速耐久性測試 (ADT) 和計時電流法評估AC-Ir NSs 的穩(wěn)定性。AC-Ir NSs 的活性在 20000 次循環(huán)后表現出可忽略不計的衰退,而 Pt/C 催化劑的 HER 活性在 20000 次循環(huán)后表現出顯著退化;計時電流法測量發(fā)現AC-Ir NSs 的電流密度在 18 小時測試后幾乎沒有變化;并且,ADT后AC-Ir NSs的電化學活性表面積、結構和拉伸應變保持不變,表明催化劑結構的穩(wěn)定性。
報告一種通過構建高密度無定形-晶體相界來設計超薄 Ir 納米片中的面內應變的簡便方法;非晶-晶界可以在納米片中產生約 4% 的拉伸應變;拉伸應變可以改變Ir位點的d 帶結構并優(yōu)化氫吸附的吉布斯自由能;結果,所制備的 Ir 納米片表現出高 TOF 值(3.61 H2 s-1 @ 30 mV),是HER 的基準商業(yè) Pt/C 催化劑(0.81 H2 s-1 )的 4.5 倍。
Geng Wu, Xiao Han. et al . In-plane strain engineering in ultrathin noble metal nanosheets boosts the intrinsic electrocatalytic hydrogen evolution activity. Nat Commun 13, 4200 (2022).
https://doi.org/10.1038/s41467-022-31971-4
原創(chuàng)文章,作者:Gloria,如若轉載,請注明來源華算科技,注明出處:http://www.xiubac.cn/index.php/2023/11/19/5adf7d54c6/