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基于MOS₂的正極的Zn儲存行為主要依賴于邊緣位點處的離子-（DE）嵌入而是受到無活性基底平面的限制。

近日，北京科技大學劉永暢和李平等人在Angew. Chem. Int. Ed.期刊上發(fā)表了題為”Molecular Engineering on MoS₂ Enables Large Interlayers and Unlocked Basal Planes for High-Performance Aqueous Zn-Ion?Storage”的論文。

D-MOS₂-O的制備過程和晶體結構的示意圖

作者提出了在結構缺陷制造和O型摻雜方面的原位分子工程策略實現(xiàn)了高倍率性能。通過Zn²⁺擴散通過密度泛函理論計算驗證。

即使在嚴重彎曲條件下，采用D-MOS₂-O正極的可穿戴準固態(tài)可再充電Zn電池穩(wěn)定地運行，顯示出很大的應用前景。

D-MOS₂-O的電化學性能表征

材料的模擬分析

Molecular Engineering on MoS₂ Enables Large Interlayers and Unlocked Basal Planes for High-Performance Aqueous Zn-Ion Storage（Angew. Chem. Int. Ed. 2021, DOI: 10.1002/anie.202108317）

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北科大劉永暢&李平Angew：D-MOS2-O正極助力高性能Zn離子儲存

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