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由于高理論容量，金屬硒化物被認為是一類有前景的鈉離子電池負極材料。然而，其固有的低電導(dǎo)率和離子導(dǎo)電性以及充放電過程中巨大的體積變化導(dǎo)致儲鈉能力較差，嚴重阻礙了其實際應(yīng)用。

新加坡南洋理工大學(xué)顏清宇、電子科技大學(xué)陳俊松等人通過在銦基金屬-有機骨架MIL-68表面上生長鈷基沸石咪唑酯骨架ZIF-67，然后原位氣相硒化，制備了由In₂Se₃/CoIn₂/CoSe₂組成的In₂Se₃/CoSe₂空心納米棒，以用作鈉離子電池負極。

由于In₂Se₃和CoSe₂之間存在CoIn₂合金相，成功構(gòu)建了由兩個合金/硒化物界面組成的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，與只有兩個金屬硒化物的單一無CoIn₂界面相比，具有協(xié)同增強的導(dǎo)電性、Na擴散過程和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

圖1 制備及表征

正如預(yù)期的那樣，這種納米結(jié)構(gòu)在5和10 A g^-1下循環(huán)2000次后分別可獲得 297.5和205.5 mAh g^-1的高可逆容量，并且在甚至在20 A g^-1下仍具有371.6 mAh g^-1的優(yōu)異倍率性能。

圖2 鈉離子電池性能

Bilateral Interfaces in In2Se3-CoIn2-CoSe2 Heterostructures for High-Rate Reversible Sodium Storage. ACS Nano 2021. DOI: 10.1021/acsnano.1c03056

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顏清宇/陳俊松ACS Nano：In2Se3-CoIn2-CoSe2異質(zhì)結(jié)構(gòu)中雙邊界面助力高速可逆鈉儲存