日本國立材料研究所（National Institute for Materials Science）團隊研究了Ti或Zr摻雜對SnTe半導體熱電性能的影響。這兩種過渡金屬摻雜后，SnTe的品質因子（zT）及熱電轉換效率在中低溫范圍內（高溫熱源溫度<723 K）均有所提升。例如，未摻雜的SnTe在中低溫范圍內zT很難超過0.5，而本文報道的摻雜SnTe的zT已接近0.7。
沙特阿卜杜拉國王科技大學（King Abdullah University of Science & Technology）研究團隊指出有機太陽能電池受體分子的四極矩（quadrupole moment）對非富勒烯太陽能電池中電荷傳遞有影響。他們首先合成了兩種受體分子。其一是以羅丹寧為端基的IDT（indacenodithiophene）分子。第二種主體也是IDT，但端基變?yōu)槎枰蚁┗?。給體分子均為PCE10聚合物。由于氰基強烈吸電子，第二種受體的四極矩更大。通過測試、對比二者在光照下電荷傳遞行為與相應太陽能電池的性能，作者們發(fā)現(xiàn)受體的四極矩越大，電池開路電壓（Voc）越小，激子非輻射結合概率越大。這是因為四極矩降低了電荷轉移態(tài)的能量。漂浮的藍色分子骨架為受體分子，紅色條帶應為PCE10給體分子。圖像清晰地展示了二者間發(fā)生的一次電荷傳遞瞬間，這是論文研究的核心過程。仔細看背景還能發(fā)現(xiàn)若隱若現(xiàn)的受體分子的結構式。
掃碼呈現(xiàn)原文摘要
鈣鈦礦太陽能電池材料
韓國高麗大學（Korea University）Jun Hong Noh教授課題組聯(lián)合韓國成均館大學（Sungkyunkwan University）Hyun Suk Jung教授課題組，成功解決了鈣鈦礦p-i-n太陽能電池空穴傳輸層的制備難題。在鈣鈦礦p-i-n太陽能電池中，空穴傳輸層需附著在鈣鈦礦層上導出光生空穴。但傳統(tǒng)的溶液涂布制備法會因使用極性溶劑而部分損壞下方的鈣鈦礦材料。使用非極性溶劑雖能保護鈣鈦礦材料，但空穴傳輸層難以涂布均勻。
