在這里,英國鄧迪大學(xué)的David J. Keeble教授(一作+通訊)在Nature Communications發(fā)表最新成果Identification of lead vacancy defects in lead halide perovskites,使用高強(qiáng)度正電子束線進(jìn)行可變正電子注入能量PALS測量,檢測和識(shí)別薄膜和單晶MAPbI3近表面的鉛空位相關(guān)缺陷。使用原子疊加和投影增強(qiáng)波(PAW)DFT方法計(jì)算正電子壽命,以達(dá)到完美晶格MAPbI3和相關(guān)空位缺陷。對(duì)薄膜和單晶樣品的實(shí)驗(yàn)都表現(xiàn)出Pb空位缺陷主導(dǎo)的正電子捕獲,并確定了最低缺陷密度~3×1015 cm-3。也有證據(jù)表明,有少部分樣品中還測試到了復(fù)合缺陷(VPbVI)-,但沒有檢測到對(duì)MA空位缺陷的正電子捕獲。作者的實(shí)驗(yàn)結(jié)果支持了其他第一性原理的預(yù)測,即深能級(jí)、空穴陷阱、VPb2?點(diǎn)缺陷是MAPbI3中最穩(wěn)定的缺陷之一,MA空位的濃度預(yù)計(jì)可以忽略不計(jì)。這些結(jié)果也與最近對(duì)金屬鹵化物鈣鈦礦的低劑量掃描透射顯微鏡研究一致,該研究為Pb-I亞晶格中存在空位缺陷提供了證據(jù)。深度剖面正電子壽命譜被證明是一種點(diǎn)缺陷表征方法,可用于金屬鹵化物鈣鈦礦,可以檢測和識(shí)別中性或負(fù)電荷的空位相關(guān)缺陷。圖2. MAPbI3中Pb空位處的正電子密度計(jì)算圖3. 實(shí)驗(yàn)測得正電子壽命譜和正電子注入譜圖4. 去卷積擬合的實(shí)驗(yàn)正電子壽命譜
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Keeble, D.J., Wiktor, J., Pathak, S.K. et al. Identification of lead vacancy defects in lead halide perovskites. Nat Commun 12, 5566 (2021).