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劉軍楓Appl. Catal. B.: 邊緣富集NiFe-LDH納米陣列用于增強(qiáng)電催化OER

劉軍楓Appl. Catal. B.: 邊緣富集NiFe-LDH納米陣列用于增強(qiáng)電催化OER
合理設(shè)計(jì)具有先進(jìn)納米結(jié)構(gòu)的催化劑,以完全暴露邊緣或缺陷位點(diǎn)有益于優(yōu)化其電催化性能。
北京化工大學(xué)劉軍楓團(tuán)隊(duì)報道了一種具有豐富配位不飽和位點(diǎn)的邊緣富集(EE)NiFe層狀雙氫氧化物(LDH)納米陣列,用于高效電催化OER。
劉軍楓Appl. Catal. B.: 邊緣富集NiFe-LDH納米陣列用于增強(qiáng)電催化OER
作者利用金屬有機(jī)框架(MOF)作為結(jié)構(gòu)導(dǎo)向模板,在具有三電極系統(tǒng)的電化學(xué)電池中進(jìn)行 EE-NiFe-LDH陣列的合成。獲得的超薄NiFe-LDH NSs具有豐富的活性邊緣,能夠暴露出配位不飽和原子(氧和鐵空位),優(yōu)化了NiFe-LDH的電子態(tài)并增強(qiáng)了含氧中間體的吸附,導(dǎo)致高OER的催化活性。
OER過程中,該催化劑上電流密度達(dá)到10 mA cm-2,過電位僅為205 mV,優(yōu)于所有報道的NiFe-LDH納米結(jié)構(gòu)。
劉軍楓Appl. Catal. B.: 邊緣富集NiFe-LDH納米陣列用于增強(qiáng)電催化OER
DFT計(jì)算表明,EE-NiFe-LDH表面上NiFeOOH的Fe原子(在VO旁邊)與V Fe,O表現(xiàn)出更高的電子密度,這有利于含氧中間體的吸附以提高OER活性。
此外,部分態(tài)密度(PDOS)分析表明,由于Fe態(tài)密度的貢獻(xiàn),在C-NiFe-LDH的(110)平面處引入VFe和VO后帶隙變窄,導(dǎo)致NiFe-LDH具有高的電導(dǎo)率,有利于電催化過程中電荷轉(zhuǎn)移。
Structure inheritance strategy from MOF to edge-enriched NiFe-LDH array for enhanced oxygen evolution reaction. Applied Catalysis B: Environmental, 2021. DOI: 10.1016/j.apcatb.2021.120580

原創(chuàng)文章,作者:Gloria,如若轉(zhuǎn)載,請注明來源華算科技,注明出處:http://www.xiubac.cn/index.php/2023/10/12/fad083a327/

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