超薄納米材料獨(dú)特的二維結(jié)構(gòu)為在原子水平上調(diào)節(jié)性能提供了理想的平臺(tái)。

中國(guó)科學(xué)院劉立成團(tuán)隊(duì)結(jié)合雙離子共取代策略實(shí)現(xiàn)了微米尺寸的塊狀ZnSn(OH)₆前驅(qū)體(2μm)向功能化In-O-ultrathin-SnS₂納米片(3 nm)的轉(zhuǎn)化。

In-O-ultrathin-SnS₂在CO₂電催化還原的1.0 V中等過(guò)電位下實(shí)現(xiàn)了88.6%的甲酸鹽法拉第效率(FEHCOO^–)和22.7 mA cm^-2的分電流密度(j_HCOO-)，與未修飾的超薄SnS₂相比性能具有明顯改善。

DFT計(jì)算表明，In-O-ultrathin-SnS₂的優(yōu)異活性歸因于氧化錫與相鄰In位之間的協(xié)同效應(yīng)，降低了關(guān)鍵中間體的自由能，加速了電子轉(zhuǎn)移速率。該工作為超薄二維納米材料的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和活性調(diào)控提供了指導(dǎo)原則。

An Integrated Gradually Thinning and Dual-Ion Co-Substitution Strategy Modulated In-O-Ultrathin-SnS₂ Nanosheets to Achieve Efficient Electrochemical Reduction of CO₂. Chemical Engineering Journal, 2021. DOI:10.1016/j.cej.2021.132145