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郭再萍/孫志鵬AM:2D-層狀Bi到準(zhǔn)1D-結(jié)構(gòu)NiBi3,結(jié)構(gòu)維度降低,提高鈉/鉀離子儲(chǔ)存性能

郭再萍/孫志鵬AM:2D-層狀Bi到準(zhǔn)1D-結(jié)構(gòu)NiBi3,結(jié)構(gòu)維度降低,提高鈉/鉀離子儲(chǔ)存性能
鉍(Bi)具有分層結(jié)構(gòu)和半金屬導(dǎo)電性,作為Na/K離子電池的合金類負(fù)極材料(385 mAh g?1),由于其較大的體積容量(基于Na3Bi為1088 mAh cm?3,基于六方K3Bi為737 mAh cm?3)和低氧化還原電位(~0.55 V vs. Na+/Na,~0.48 V vs. K+/K),已經(jīng)得到廣泛研究。然而,由于Na離子和K離子的較大離子半徑,Bi負(fù)極在循環(huán)過程中會(huì)發(fā)生較大的體積變化,導(dǎo)致材料粉化和電極與電解質(zhì)之間持續(xù)的副反應(yīng)。此外,Bi負(fù)極的皺褶層狀結(jié)構(gòu)和半金屬導(dǎo)電性限制了電子傳遞和Na/K離子擴(kuò)散。因此,緩沖Bi負(fù)極的大體積膨脹,提高電子傳導(dǎo)性和Na/K離子擴(kuò)散性對(duì)于增強(qiáng)電化學(xué)性能至關(guān)重要。
郭再萍/孫志鵬AM:2D-層狀Bi到準(zhǔn)1D-結(jié)構(gòu)NiBi3,結(jié)構(gòu)維度降低,提高鈉/鉀離子儲(chǔ)存性能
在此,阿德萊德大學(xué)郭再萍教授、廣東工業(yè)大學(xué)孫志鵬教授等人提出并發(fā)展了一種結(jié)構(gòu)維度減少策略,通過將二維分層結(jié)構(gòu)的Bi轉(zhuǎn)化為具有增強(qiáng)反應(yīng)動(dòng)力學(xué)和可逆性的準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)NiBi3用于Na/K離子存儲(chǔ),以實(shí)現(xiàn)其高倍率和穩(wěn)定循環(huán)性能。
研究發(fā)現(xiàn),具有低形成能、金屬導(dǎo)電性和三維Na/K離子擴(kuò)散途徑的準(zhǔn)一維金屬間化合物NiBi3,在經(jīng)過15000次循環(huán)后,Na離子存儲(chǔ)具有出色的容量保持率達(dá)到94.1%(332 mAh g?1),而在K離子存儲(chǔ)中該材料表現(xiàn)出93.4%的首次庫(kù)侖效率(ICE),其容量保持率也得到顯著提升。
郭再萍/孫志鵬AM:2D-層狀Bi到準(zhǔn)1D-結(jié)構(gòu)NiBi3,結(jié)構(gòu)維度降低,提高鈉/鉀離子儲(chǔ)存性能
圖1. NiBi3結(jié)構(gòu)表征
總之,該工作通過將層狀Bi和Ni結(jié)合起來,成功合成了準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)的NiBi3,以開發(fā)用于鈉/鉀離子儲(chǔ)存的新型負(fù)極材料。由于準(zhǔn)一維結(jié)構(gòu)的優(yōu)越性,NiBi3具有金屬導(dǎo)電性和三維的鈉/鉀離子擴(kuò)散通道。在作為鈉/鉀離子儲(chǔ)存的陽極材料時(shí),NiBi3負(fù)極在15000次循環(huán)后,鈉儲(chǔ)存的容量保持率為94.1%,鉀儲(chǔ)存的初始庫(kù)侖效率為93.4%。
非原位XRD分析揭示了NiBi3在鈉儲(chǔ)存中經(jīng)歷了一個(gè)對(duì)稱的反應(yīng)機(jī)制,NiBi3?Ni + NaBi + Na3Bi,而在鉀儲(chǔ)存中則經(jīng)歷了一個(gè)非對(duì)稱的反應(yīng)機(jī)制,NiBi3→ Ni + K3Bi → Ni + KBi2→ NiBi3。這兩種反應(yīng)由于NiBi3的低形成能而具有很高的可逆性。此外,非原位SEM研究表明,NiBi3電極在循環(huán)過程中可以自發(fā)地轉(zhuǎn)變?yōu)榧{米多孔結(jié)構(gòu),有助于容納體積膨脹并縮短鈉離子的傳輸路徑。這項(xiàng)研究為設(shè)計(jì)新型鈉/鉀離子電池的負(fù)極材料提供了一種新策略。
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圖2. NiBi3負(fù)極在鉀離子電池中的電化學(xué)性能
2D-Layer-Structure Bi To Quasi-1D-Structure NiBi3: Structural Dimensionality Reduction to Superior Sodium and Potassium Ion Storage, Advanced Materials 2023 DOI: 10.1002/adma.202305551

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